namending busbar bending machinehaydroliko busbar baluktot

Ang pang-eksperimentong pag-verify ng orihinal na disenyo ng laminated busbar at ang kasalukuyang disenyo

Upang makagawa ng isang tumpak na pahalang na paghahambing, sumisipsip kami ng kapangyarihan sa parehong mga dulo ng IGBT sa orihinal na disenyo

Matapos mag-alis, makuha ang sumusunod:

1) Orihinal na pamamaraan ng disenyo Ang turn-off kasalukuyang at boltahe na mga alon sa parehong mga dulo ng IGBT

Dahil ang pagkabulok ng parasitiko ng DC-side capacitor ay halos 100nH, ang inductance sa bolt pin ay halos 120nH,

Ang parasito inductance ng IGBT ay halos 20nH, at ang kabuuang inductance ng busbar sa orihinal na disenyo ay mga 760nH. Samakatuwid,

Ang kabuuang inductance pamamahagi ng linya ay halos 1000nH.

Sa kasong ito bakal na baluktot na bakal, ayon sa formula (1), ang sapilitan na boltahe ay:

ΔU = Ls * di / dt = 1000x10-3x125 / 0.28≈446V

Kung saan ang IGBT turn-off fall time (0.28μs), upang ang kabuuang boltahe sa buong IGBT ay:

Ut = Ud + ΔU = 800 + 446 = 1246V

Ito ay karaniwang naaayon sa aktwal na sinusukat na halaga, samakatuwid, ang orihinal na disenyo ay dapat magdagdag ng isang capacitor ng pagsipsip, at ang IGBT

Ang rate ng boltahe ay dapat na 1700V.

2) Ang kasalukuyang pamamaraan ng disenyo Ang turn-off kasalukuyang at boltahe sa parehong mga dulo ng IGBT

Nakasunud-sunod sa pamamaraan sa itaas, kalkulahin muna ang kabuuang pamamahagi ng linya ng pamamahagi ng Ls:

Ls = 0.3 + 100 + 120 + 20 = 240.3nH

Ang kalat-kalat na inductance ng bus ay 0.3nH.

Ang sapilitan na boltahe sa buong IGBT ay:

ΔU = Ls * di / dt = 240.3x10-3x125 / 0.28≈107V

Kung saan ang IGBT turn-off fall time (0.28μs), upang ang kabuuang boltahe sa buong IGBT ay:

Ut = Ud + ΔU = 800 + 107 = 907V

Ito ay karaniwang naaayon sa aktwal na sinusukat na halaga, samakatuwid, ang kasalukuyang disenyo ay hindi kailangang magdagdag ng pagsipsip kapasitor, ang halaga ng IGBT

Ang palaging boltahe ay maaaring pumili ng 1200V na antas, na lubos na binabawasan ang posibilidad ng pagkasira ng IGBT.

\u0026 nbsp;

\u0026 nbsp;